GaN基蓝光LED Efficiency droop研究进展

摘要

GaN基LED具有高亮度、低能耗、寿命长、响应速度快等优良特性，在固态照明、液晶背光源、全色显示等领域有着广泛的应用。在大电流驱动时维持高效率，是LED 提升亮度和降低成本的关键，但是LED的效率却会随着电流上升而减弱，即Efficiency droop。Efficiency droop的产生机理主要有俄歇复合（Auger recombination）、载流子泄漏（Carrier leakage）、结的热效应（Junction heating）和载流子的离域化（Carrier delocalization）等，其中俄歇复合和载流子泄露是两个主流观点。本文详述了改善Efficiency droop的研究进展，指出适当加宽量子阱、采用极化匹配的量子阱垒结构、电子阻挡层或InGaN量子垒、调整量子垒的掺杂分布、减薄量子垒等，能有效减弱Efficiency droop，提高大电流下LED的光效。