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陈弘; 韩英军; 周均铭; 于洪波; 黄绮;
中国科学院物理研究所;
北京市100080;
氮化镓; 单晶薄膜; 衬底; 失配; 外延生长; 发明专利;
机译:原子氮中砷化镓单晶制备的氮化镓膜的结构与组成
机译:使用炉氧化氮化镓薄膜制备的β-氧化镓纳米线扩展栅场效应晶体管pH传感器
机译:具有RF溅射法的氮化镓压电薄膜的天文台和SC加入具有RF溅射法,HF和Mo金属对准层的使用氮化镓薄膜改善了
机译:不同类型的单晶镓氮化薄膜直接生长在邻近(001)砷化镓基材上
机译:原子清洁的氮化镓(0001)和氮化铝(0001)薄膜的制备,表征以及通过碘汽相生长沉积厚的氮化镓薄膜。
机译:在玻璃上制备单晶磷化镓薄膜
机译:氮化温度对通过两步法制备氮化镓薄膜特性的影响
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。
机译:氮化镓薄膜模板基板,氮化镓薄膜模板基板和氮化镓薄膜单晶的制造方法
机译:制备含镓单晶氮化物的方法和通过该方法制备的含镓单晶氮化物
机译:制备单晶含镓氮化物的方法和通过该方法制备的单晶含镓氮化物
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