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陆卫; 季亚林; 陈效双; 李志锋;
中国科学院上海技术物理研究所;
上海市200083;
InAs/GaAs; 量子点 ; 半导体材料 ; 发光效率 ;
机译:高能质子辐照对InAs / GaAs量子点的影响:以最小的光谱特征偏移提高光致发光效率(高达7倍)
机译:原位化学刻蚀制备的原子阶梯GaAs表面上生长的InAs量子点的发光效率提高
机译:检测自组织InAs / InGaAs量子点超晶格中的空间局部激子:一种提高光伏效率的方法
机译:InAs / InGaAsP / InP量子点结构的光致发光峰值波长行为和发光效率
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
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机译:在错误定向衬底上生长的自组织Inas / Gaas量子点的光致发光衰减时间测量。
机译:用量子点InAs / InGaAs结晶异质结构InGaAs / n0,2Al0,3Ga0,5As的方法
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