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劳燕锋; 吴惠桢; 封松林; 齐鸣;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
上海市长宁区长宁路865号;
200050;
结构质量; 直接键合; 无损检测; 砷化镓基材料; 磷化铟; 化合物半导体; CaAs; 发明专利; InP;
机译:在砷化铟镓/磷化铟和砷化镓衬底上生长的自组装砷化铟纳米结构形成的有力研究
机译:(001)硅衬底上的线结构中高度有序的水平砷化铟镓/磷化铟多量子阱结构
机译:Nonohmic传导率和能量弛豫机制歌德罗斯特拉基土拉砷化镓/砷化铟镓/砷化镓20个电子气
机译:基于磷化铟氧化物,磷化铟,砷化铟镓镓和锑化铟镓镓的光伏电池效率的提高
机译:切角对晶片键合串联太阳能电池直接晶片键合的n-砷化镓/ n-砷化镓结构电导率的影响
机译:硬金属中的钴和硫酸钴砷化镓磷化铟和五氧化二钒。
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:III-V半导体材料制备技术的研究与开发及这些材料质量评价方法 - 砷化镓晶体 - 砷化镓坩埚拉制
机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译:制造磷化铟/砷化镓铟磷化氢埋入异质结构半导体激光器的新结构和新方法
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