构造单片半导体结构技术取得突破

摘要

据物理学家组织网近日报道，瑞士和意大利科学家在近日出版的《科学》杂志上指出，他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大突破，成功在硅上集成了50微米厚锗，新结构几乎完美无缺，最新研究将让包括X射线技术在内的多个领域受益。