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机译:大体积砷化镓在砷化镓和锗衬底上的外延生长
机译:器件兼容的砷化镓在具有薄(〜80 nm)Si_(1-x)Ge_x台阶缓变缓冲层的硅衬底上的分子束外延生长,用于高κⅢ-Ⅴ型金属氧化物半导体场效应晶体管的应用
机译:砷化镓和砷化镓衬底上用于X射线探测器的砷化镓p-i-p结构
机译:扫描分子束外延生长砷化镓砷化镓研究的隧道显微镜和角度研究
机译:砷化镓/铝(x)-砷化镓(1-x)量子阱激光器通过分子束外延生长在砷化镓和硅上。
机译:出版商更正:氢化物气相外延生长砷化镓太阳能电池的速度超过300 µm h-1
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:钨/石墨基板上的砷化镓薄膜:第二阶段。专题报道:钨/石墨基板上的薄膜砷化镓太阳能电池
机译:具有低阈值电流的横向结带激光器-砷化镓铝和砷化镓层在砷化镓衬底上外延生长
机译:在砷化镓基材上的砷化镓粘贴材料上的外延生长
机译:在砷化镓衬底上外延生长具有减少的硅污染物的砷化镓层的方法
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