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F.H.Eisen; 李莉莎; 王子滨;
机译:具有铜金属化正面的低噪声放大器的微波砷化镓单片集成电路的设计-处理特征
机译:砷化镓集成电路技术,用于片上电源
机译:宽带射频微机电系统开关和使用砷化镓单片微波集成电路铸造工艺技术的开关网络
机译:前苏联格鲁吉亚砷化镓技术的现状和发展路线图联盟
机译:毫米波砷化铝铟/砷化铟镓高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片集成电路的设计和技术。
机译:砷化镓砷酸镓合金的禁带抗穿越模型
机译:大型集成电路微波砷化镓亚微米结构形成的特殊性
机译:针对425 mHz和双频段(425和900 mHz)的优化(第二次通过)砷化镓(Gaas)集成电路射频(RF)升压器设计的系统测试
机译:砷化镓集成电路管芯的直接模焊料和砷化镓晶片的制造方法
机译:光学半导体器件,特别是用于宽带光通信的光电集成电路,在砷化镓衬底和氮化镓基发光接收层之间包括氧化锌膜。
机译:亚微米SHF-大型集成电路的砷化镓异外延结构的形成方法
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