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常忠廷; 才利存; 徐涛; 张坤; 王朋;
[1]许继集团有限公司;
河南许昌461000;
换流阀; 暂态低电压; 合成实验; 非对称电压; 电压源;
机译:使用单电源的降低电压摆幅电路,以实现基于SRAM的存储器的较低电压操作
机译:基于22nm FinFET技术的全速本地位线SRAM架构,可实现低电压运行
机译:瑞萨同时实现了641皮秒的高速操作,使用最先进的16NMFINFET用于车载信息设备的低电压条件,用于开发SRAM的低电压条件
机译:使用具有非对称直流电源的三电平电源转换器降低电压/电流失真的方法的实验评估
机译:使用低电压(LV)和高压(HV)碳化物(SIC)器件,实现高效率中电压转换器和用于高速驱动器和其他网格应用,以及高压(HV)碳化硅(SIC)器件
机译:降低电压实现最佳实时聚合酶链反应的性能评估
机译:“单相电网的电子继电器·低电压和低电压”的修改和实现
机译:降低电压对电负荷运行和效率的影响。总结报告
机译:可动态配置的SRAM单元,可实现低电压运行
机译:特定用途的SRAM存储单元,可实现低电压,高速运行
机译:通过使用低电压反转来实现高电压反转的方法,电路和高电压变压器
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