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3D芯片:英特尔的绝地反击

             

摘要

cqvip:2011年初,微软与诺基亚的"闪婚",使"原配"英特尔处境尴尬。正当移动电子产业界对"英特尔是否会继续坚持MeeGo系统"提出各种猜测之际,英特尔高调推出了已研发近十年的3D晶体管架构项目最新成果——3D Tri-Gate晶体管,并宣布将在年底前完成大规模投产的准备工作。IT巨头终于开始了在新移动电子领域的绝地反击,但为什么是3D晶体管架构?这项发明与传统晶体管结构有何区别?它对未来的移动电子产业有何影响?又是否能够挽救英特尔的芯片帝国呢?

著录项

  • 来源
    《上海信息化》 |2011年第6期|58-59|共2页
  • 作者

    崔磊;

  • 作者单位
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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