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SiC陶瓷材料分子动力学模拟概述

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摘要

SiC是第3代宽带隙半导体的核心材料之一,具有极为优良的物理化学性能,应用前景十分广阔.本文着重介绍SiC陶瓷材料的分子动力学模拟的势能模型及主要技术细节.

著录项

来源
《山东陶瓷》 |2003年第6期|11-13|共3页
作者
汤伟; 朱定一; Lee Seung-Hyeob;
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作者单位

福州大学材料科学与工程学院,福州,350002;

福州大学材料科学与工程学院,福州,350002;

韩国科学技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TQ174.75+8.12;
关键词
分子动力学模拟; SiC; Tersoff势;

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