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常剑; 蒋登高; 詹自力; 宋文会;
河南省郑州市文化路97号郑州大学工学院;
郑州大学教务处;
郑州大学化工学院;
气敏机理; 半导体金属氧化物;
机译:使用Ru正沟道金属氧化物半导体和TaC负沟道金属氧化物半导体栅电极的双金属栅集成互补金属氧化物半导体工艺方案
机译:通过12/25/5/40 V双极互补金属氧化物半导体双扩散金属氧化物半导体工艺制造450 V额定绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体工艺体硅基板
机译:互补金属氧化物半导体离子敏感场效应晶体管传感器阵列,通过化学气相沉积作为离子敏感膜形成氮化硅膜
机译:一种新的降解机理及其对金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的作用
机译:纳米晶金属氧化物半导体/敏化剂界面电子转移的动力学和机理。
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机译:Al 2 inf> O 3 inf> / GaN金属氧化物半导体电容器中氧化物陷阱的俘获机理
机译:过渡金属氧化物,非晶半导体,半导体玻璃,Ovshinsky效应和其他开关(存储)材料 - 文献综述
机译:多层金属氧化物多孔膜纳米气敏材料的制备方法
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