准全方位InSb-In磁阻式振动传感器

摘要

本文最新研制了一种用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器.其半导体磁头由位于上下方的两对方向垂直的InSb-In磁敏元件构成,将检测方位范围由一维空间扩展到现在的二维空间.经实测,磁头上方的磁敏元件灵敏度大于下方元件,输出信号相位差在00～1800之间,信噪比在30dB～32dB范围内.当温度-400C～800C之间变化时,信号处理电路输出稳定可靠.