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V形槽静电超声传感器静电场不均匀性研究

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摘要

分析V形槽静电超声传感器微气隙结构研究静电场不均匀性,用解拉普拉斯方程的方法解的单个V形槽面电荷密度.通过建立π/4角两平板电容器模型,提出V形槽静电传感器电容值的定量计算方法,得到与试验相接近的结果.

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来源
《传感器世界》|2006年第3期|6-8|共3页
作者
操文祥; 葛立峰;
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作者单位

安徽大学电子科学与技术学院;

安徽大学电子科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP212.1;
关键词
静电超声传感器; V形槽面电荷密度; 静电容;

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