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王巍; 潘孝仁;
淮北煤炭师范学院物理系;
华东理工大学物理系;
超微粒子薄膜; 电场; 电性质; 气敏性质;
机译:N溶解度在SnO2宿主晶格中对P型Ga-和N-掺杂SnO2(GNTO)膜的结构,电和光学性质的影响
机译:SN-取代的Ga和掺杂剂含量对P型X型SnO2(X = Ga和In)膜的结构,电和光学性质的影响:测试X掺杂SnO2 / N-Si结的光电效应
机译:por-Si / SnO_x纳米复合层的电物理性质和气敏性质的研究
机译:ZnO添加对无定形SnO2薄膜电和结构性质的影响
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:氧溅射压力对气敏性ZnO薄膜结构形貌和光学性质的影响
机译:前驱物性质对合成snO2纳米粒子特性的影响前驱体性质对合成snO2纳米粒子特性的影响
机译:不同化学反应和研磨条件下纳米晶sNO2的气敏性
机译:测定频域中气敏元素的气敏特性和电物理性质的方法
机译:间隙补偿元件具有布置在节流点处用于产生电场或磁场的装置,由此流体具有受装置影响的电或磁流变性质
机译:用于产生用于确定眼角膜治疗后视力相关变化的数据的设备,具有比较模块,该比较模块将所测量的图示影响性质与图示影响角膜的性质进行比较。
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