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半导体设备; 化合物半导体; 氮化镓; 制程技术; 采购; 台积电; 高电压; 高效能;
机译:通过使用第三代半导体(氮化镓)对EE本科课程中MOSFET内容的优化
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:台湾台积电熊本半导体厂新设备投资半导体厂
机译:掺锌氮化镓(GaN)半导体纳米线的温度和尺寸相关的力学性能和失效行为研究
机译:基于体氮化镓的电子设备:肖特基二极管,肖特基型紫外光电探测器和金属氧化物半导体电容器。
机译:氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面制备和沉积的栅极氧化物
机译:氮化镓的表征与建模\ ud 功率半导体器件动态通态 抵抗性
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。
机译:3--制备基团-氮化物半导体晶体的方法制备基于氮化镓的复合半导体-基于氮化镓的复合半导体-镓镓的半导体-光导体-光导体-装置的发光装置和设备
机译:生长基于氮化镓的半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子设备,表皮基质和基于氮化镓的半导体电子设备的方法
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