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崔立奇; 张文俊;
电子部第13研究所;
分子束外延; 平面掺杂; 二维电子气; 超晶格器件;
机译:分子束外延生长纳米级BaTiO_3 / SrTiO_3超晶格
机译:纳米级Eu(DBM)_3 phen掺杂聚甲基丙烯酸甲酯的微观结构的近场扫描显微镜和光学性质研究
机译:掺杂超晶格和II型超晶格中的磁等离子体及其线形
机译:用于多结太阳能电池的InGaAs:Nδ掺杂超晶格的生长
机译:分子束外延生长纳米级钛酸钡/钛酸锶超晶格
机译:磁性超晶格及其纳米级相变效应
机译:用mgGa-ONδ共掺杂改善纳米级(alN)5 /(GaN)1超晶格取代al0.83Ga0.17N合金的p型掺杂效率:O原子在GaN单层中的作用
机译:alGaInas / Inp和InGaas-Inalas超晶格的mBE生长和性质研究。最终报告,1986年4月15日至1989年12月14日。
机译:发射辐射的半导体器件包括:有源层,其布置在n和p掺杂的壳体层之间;扩散停止层,其具有张紧的超晶格,该张紧的超晶格布置在有源层和p掺杂的壳体层之间
机译:在InAs衬底上生长的中红外激光结构的选择性Si掺杂InAs / AlAsSb短周期超晶格作为N型覆盖层
机译:半导体连接划定了具有超晶格的半导体器件,该超晶格具有其掺杂的区域和与其邻接的半导体层
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