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陈裕权;
IQE MBE 异质结构 发光器件 光电子学 化合物结构 锑化物 外延片 外延层;
机译:MBE生长的外延Si / CoSi / sub 2 // Si异质结构在过度生长的硅渗透基晶体管中的应用
机译:MBE生长和光电子化合物半导体异质结构的界面形成
机译:Mn基II-VI化合物的分子Bema外延(MBE)生长动力学的原位表征:CdTe上的自组织Mn结构
机译:通过用于光电应用的生产MBE系统生长的高均匀性和高质量的P基异质结构
机译:MBE生长的碲化锌,锑化镓的材料特性及其在光电器件中的异质结构。
机译:混合六方氮化硼/石墨烯异质结构大面积合成的基于MBE的混合生长方法
机译:分子束外延生长的锑基III-V族化合物半导体的外延层应变和异质结构分析
机译:基于汞的化合物和异质结构的mBE生长和表征。
机译:MBE生长的II-VI化合物在均质或异质底物上的原位掺杂
机译:MBE生长的锑化碱光电阴极
机译:MBE生长引起的锑转化碱性光电阴极
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