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郑畅;
增强模式; 英飞凌; GaN; 电子会议; 共源共栅; 电信设备; 音频系统; 产品组合; 松下电器; 氮化镓;
机译:Apec '97-第十二届应用电力电子年度会议和展览会
机译:具有增强模式和共源共栅配置的GaN器件
机译:2016年食品与营养会议暨展览会,2016年食品与营养会议暨展览会,马萨诸塞州波士顿2016年10月15日至18日,摘要
机译:APEC '92。第七届年度应用电力电子会议暨展览会。 1992年会议论文集(目录号92CH3089-0)
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:国际微生物学会议暨展览会摘要。西班牙巴塞罗那2019年11月18日至19日。诺富特巴塞罗那圣约翰德斯皮酒店
机译:会议报告:30 TH SUP> IEEE应用电力电子会议和博览会(APEC 2015),2015年3月15日至19日,夏洛特,北卡罗林,美国
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:使用凹陷模式GaN基FET的共源共栅电路
机译:增强模式GaN半导体器件复合高k金属栅极堆栈
机译:用于增强模式GAN半导体器件的复合高k金属栅极堆叠
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