电子谷自由度的电学调控

摘要

中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华研究团队与美国加州大学伯克利分校张翔教授等合作，首次在单层过渡族金属二硫化物（TMDC）材料中实现了电子谷自由度的电学调控，研究成果发表于《自然一纳米技术》。近年来，调控TMDC单层材料中电子谷自由度已成为凝聚态物理领域的研究热点。该研究利用磁性半导体（Ga．Mn）As作为铁磁电极实现了对单层了MDC的高效自旋注入，产生和调控了谷载流子，并为谷电子学和自旋电子学的研究建立了联系纽带。