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LaBaMnO3薄膜/Si异质结的整流特征

         

摘要

利用直流磁控溅射的方法,在n型Si衬底上沉积LaBaMnO3(LBMO)薄膜,从而形成p-n结并对其电流-电压(I—V)性能进行研究.在180-300K测试温度范围内,该p-n结表现出优良的整流性能,即正向导通、反向截止.外加电压为5V时,该p-n结的整流比(I+5V/I-5V)超过102数量级.

著录项

  • 来源
    《科技视界》 |2012年第17期|73-74|共2页
  • 作者

    郝兰众; 刘云杰;

  • 作者单位

    中国石油大学<华东>理学院 山东 青岛 266555;

    中国石油大学<华东>理学院 山东 青岛 266555;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    薄膜; p-n结; 整流;

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