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罗劲明;
嘉应学院物理与光信息科技学院,梅州514015;
铁酸铋; 阻变; 退火温度;
机译:退火对变阻非易失性存储器NiO薄膜的结构和电特性的影响
机译:Cu-CuO-InGaZnO-AZO多层结构薄膜的双极阻变特性
机译:掺Nb的SrTiO _3衬底上外延NiO薄膜的双极阻变特性
机译:Gd_2O_3薄膜结构的双极阻变特性
机译:在Na + / TaurocholateCotroansporting多肽(NTCP)中潜在的变阻率,切换和中性位置在潜在的变阻率,切换和中性位置的功能和表达
机译:掺钛ZnO薄膜的双稳态阻变特性
机译:退火温度对直流溅射Cr-si薄膜电阻器TCR和电阻值的影响,
机译:一种制造白色薄膜的方法,该薄膜可通过控制其制造过程中的延伸温度,延伸比例和热退火温度来获得具有均匀特性的薄膜
机译:变阻非易失性存储元件的写入方法及变阻非易失性存储装置
机译:透明的铁电聚合物复合材料,其中包含混合金属化合物(例如,高铁酸铋,用于生产涂料或柔性薄膜,例如在光学数据存储设备中
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