用于平板摄像的CdSe靶面淀积参数对摄像特性的影响

吕永积; 刘光诒; 邵佑军; 施化芬

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用于平板摄像的CdSe靶面淀积参数对摄像特性的影响

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为了开发用于真空微电子平板摄像管Vacuum Microelectronics FlatPanelelCamera Tube(VME FPC)的高灵敏度CdSe多层光导靶面,改建了一台精确控制Cdse材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空热蒸镀设备,开发了由真空热预处理,非真空热后处理组成的系列新处理工艺,制造出了新的高性能的CdSe多层光导靶.

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来源
《科学技术与工程》|2002年第1期|59-60|共2页
作者
吕永积; 刘光诒; 邵佑军; 施化芬;
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作者单位

广电总局广科光电研究所,北京,102206,E-mail:gdslyi@263met;

中国科学院电子学研究所,北京,100080;

广电总局广科光电研究所,北京,102206,E-mail:gdslyi@263met;

广电总局广科光电研究所,北京,102206,E-mail:gdslyi@263met;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
真空微电子平板摄像管VME FPC真空热预处理VHPT 非真空热后处理NHAT;

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