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史勤益; 姜海霞; 赵先锐; 方晓霞; 陈苏丹; 李勤涛;
台州学院物理与材料工程系,台州318000;
硅纳米圆锥; 离子溅射; 场发射;
机译:室温下入射角对Ar + sup>溅射诱导的硅纳米锥阵列形貌的影响
机译:室温下Ar +溅射诱导的硅纳米锥阵列的受控演化
机译:Ar等离子体处理后ZnO纳米棒阵列的场电子发射改善
机译:气态环境中等离子体处理硅场发射阵列的电子发射性能
机译:在环境条件下从硅纳米尖端阵列发出的场发射。
机译:微波等离子体增强CVD工艺制备的短圆锥形碳纳米管的优异场发射性能
机译:利用硅干刻蚀法制备具有低栅极漏电流的溅射门控硅场发射极阵列
机译:纳米制备具有垂直硅纳米线限流器和自对准门的硅场发射器阵列。
机译:具有增强的场发射性能的Zno纳米线的制备方法以及通过使用DC电压使用Zno纳米线增强设备的场发射性能的方法
机译:场发射型电子源阵列的制造方法,场发射型电子源阵列及其制造装置以及碳纳米管的分离纯化方法
机译:碳纳米管场电子发射体的制造方法以及由其制造的包含场电子发射体的场电子发射装置,能够有效地制造碳纳米管场发射电子源
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