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基于VHDL-AMS的结型场效应管行为建模与仿真

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摘要

提出一种基于SPICE模型半导体器件的VHDL-AMS行为建模方法,给出了结型场效应管模型中温度效应、噪声、直流和电容方程的行为模型,最后以N沟道结型场效应管共源极放大电路为例在混合信号仿真器SMASH5.5中验证了模型的正确性.

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来源
《实验室研究与探索》|2006年第6期|604-607|共4页
作者
高献伟; 冼立勤; 耿彦明; 赵成;
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作者单位

北京电子科技学院,北京,100070;

北京电子科技学院,北京,100070;

北京电子科技学院,北京,100070;

北京电子科技学院,北京,100070;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
结型场效应管; Spice; VHDL-AMS; 行为建模;
入库时间 2022-08-17 16:44:10

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