氧化锡中氧空位对气敏特性影响的研究

摘要

以氧化锡为基体材料的气敏元件,在500～900℃下烧结,元件对一氧化碳的灵敏度、元件电阻等都有很大影响。经X-射线光电能谱分析表明:掺有不同添加荆的氧化锡中Sn-3d电子的结合能比纯二氧化锡中相应的值低0.40eV,产生了更多的氧空位,烧结温度的高低对氧空位的浓度也有影响。由于Sn-3d电子结合能的变化,导致材料表面能带弯曲,从而影响元件的电阻。分析表明;氧化锡气敏材科中氧空位浓度对元件的气敏特性会产生重要的影响。