TDDI出坑暗纹解决方案研究

摘要

本论文通过采用算法优化控制在出坑后动态调整VGH和VGL电压,将VGH1增加到适配的VGH2电压可以借助Cp电容自举的原理使得M3打开更充分,从而提升TFT的充电,进而改善暗线不良;将VGL1电压降低到VGL2,可以将GOA Output进行快速下拉,一方面可以降低行与行之间错冲的风险,另一方面可以减小GOE的设定增加充电时间,进而改善暗线不良.实验结果表明,两种方法均能较好地改善出坑暗线不良.