CCD成像器件用P型外延材料的工艺研究

摘要

CCD成像器件作为大面阵高集成度器件，对外延材料的均匀性，特别是P型材料的电阻率均匀性，提出更高要求。本文主要介绍了CCD成像器件用硅外延片的一种实用生产工艺，利用PE-3061D平板式外延炉在6英寸、<100>晶向、电阻率小于0.02Ω·cm的重掺B硅衬底上化学气相沉积（CVD）所需硅外延层。通过C-V测试方法对外延材料的电阻率均匀性进行测试分析，通过变流量吹扫和提高赶气温度的工艺方法显著提高外延材料的均匀性，最终得到满足CCD成像器件设计要求的P/P+结构硅外延片。