LED制作中快速退火气体流量对ITO薄膜的影响

摘要

采用直流磁控溅射方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,分析快速退火中不同氮气流量表面形貌,分析ITO膜快速退火中不同氧气流量的XRD图谱,通入氧气0.3sccm的(222)晶面衍射峰最强。随着电流增加,退火时通氧气流量0.3sccm的ITO与外延层形成更好的欧姆接触,并且电流扩展最好,电压增加的幅度最小,制作到LED上亮度提高明显,器件的大电流驱动能力比较强。