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功率模块; MOSFET; IGBT; 微电子; 自主知识产权; 外部结构; 内部设计; 设计理念;
机译:与Si IGBT模块相比,大功率SiC MOSFET模块的性能评估
机译:银浆中的银片对夹层功率模块(IGBT芯片/银浆/裸露的铜)的接合过程和性能的影响
机译:IGBT和功率MOSFET模块的温度管理
机译:具有嵌入式去耦电容器的SiC MOSFET模块和商用Si IGBT功率模块之间的热性能和可靠性性能比较
机译:用于电动汽车和混合动力汽车的液冷IGBT功率模块的无压银纳米粉末烧结结合剂
机译:用于高频脉冲回波仪表的高压功率放大器的功率MOSFET线性化器
机译:商用1.2kV siC mOsFET模块和1.2kV si IGBT模块的对比评估
机译:用于脉冲功率应用的mOsFET和IGBTs的评估
机译:用于功率半导体开关的受控阻断电流产生装置,例如MOSFET开关或IGBT开关,使用耗尽p沟道MOSFET作为阻断电流源
机译:具有安装电极板的功率元件装置,IGBT,功率元件模块,功率元件晶片,具有安装电极板的功率元件装置的制造方法以及功率元件模块的制造方法
机译:功率MOSFET,IGBT和功率二极管
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