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H. Husken; D.Chola; T.Kimmer; 许平; 刘鹿生(译);
开关损耗; IGBT; 速度优化; 应用装置; 太阳能发电; 逆变器; 高频应用; 频率范围;
机译:一种基于IGCT高容量和IGBT的新型混合物固态开关,具有杂交直流断路器的高开关能力
机译:触手可及的400V / 150A额定开关元件:高耐压大电流开关元件熟悉的IGBT应用
机译:新一代IGBT模块“ NX系列”
机译:针对高开关速度进行了优化的新型IGBT系列
机译:开发基于物理的4H-SiC高压功率开关模型-MOSFET,IGBT和GTO。
机译:使用高Ge含量的Ge0.5Se0.5固体电解质增强的纳米电阻开关记忆特性和开关机制
机译:高约束下IGBT开关单元的可靠性研究导论
机译:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块中开关脉冲的热模拟。
机译:集成高侧MOS或IGBT开关,具有高负钳位电压并无法安全运行
机译:使用常规IGBT开关为等离子体提供电能的电路可以向开关范围为20至100 kHz的单极性或双极性脉冲等离子体提供高功率
机译:igbt系列的开关电路
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