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谢世健;
无;
功率集成电路; BCD工艺; 外延层;
机译:SAGD和VAPEX工艺的最佳参数选择
机译:有色冶金用品牌冶金石灰生产工艺最佳参数的控制与选择
机译:聚合物交替气体PAG工艺中的最佳参数选择
机译:同时使用迭代动态规划进行最佳参数选择和动态优化。
机译:通过两步冷却工艺在InGaN外延层表面上生长的均匀尺寸的铟量子点
机译:常规铬薄膜,非晶光亮铬沉积(aBCD)薄膜,N +注入aBCD薄膜的表征研究和使用丙酸作为有机添加剂制备aBCD薄膜
机译:用于数字照相机的互补金属氧化物半导体图像传感器,采用选择性外延生长工艺,在P型衬底的N型杂质离子区域上具有硅外延层
机译:具有获取和编码子组件选择的图像数字信号压缩,提取上下文信号/选择最佳参数集的优化编码参数。
机译:在例如制造中在半导体衬底上制造外延层。肖特基二极管,通过提供衬底,形成与种子层外延工艺接触的外延层,并调节各层的晶格参数
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