p,n型一掺杂的挖槽门极晶闸管制造法

摘要

提出采用ｐ，ｎ型杂质两面分别涂层一步扩散及挖槽门极的晶闸管制造工艺，有效地控制了门极解发特性参数，降低了器件通态电压，简化了工序，提高了新产品性能价值比。