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新型阳极短路环的大功率GTO

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采用新型阳极短路环的发射极结构，开发出１０００Ａ，２５００Ｖ和２０００Ａ，２５００Ｖ大功率阳极短路型ＧＴＯ。本文给出该元件的设计原则，制造工艺，通态损耗与关断损耗的最佳折衷结果。Ｇ

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来源
《电力电子技术》 |1998年第1期|75-78|共4页
作者
张昌利; 陈治明;
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作者单位

西安电力电子技术研究所;

西安电力电子技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类晶闸管（可控硅）;
关键词
关断晶闸管; 阳极短路; 发射极; GTO; 晶闸管;

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