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薄膜SOI LDMOS自加热效应的表征及相关因素探究

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摘要

通过具有埋氧化层热阻影响和无此影响的薄膜SOILDMOS的电热模拟对比,研究了二氧化硅低热导率对器件温度分布及I-V特性的作用.首次表征了仅由埋氧化层热阻所致的自加热效应.重点讨论了薄膜SOI高压MOSFET的自加热效应与器件结构和工艺参数的关系.

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来源
《电力电子技术》|2000年第2期|51-53|共3页
作者
郑陶雷; 罗晋生;
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作者单位

西安交通大学,西安,710049;

西安交通大学,西安,710049;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
场效应晶体管; 薄膜; 模拟/金属氧化物场效应晶体管; 自加热; 温度分布;
入库时间 2023-07-25 11:22:28

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