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肖敏; 曾祥斌; 袁德成; 孙树梅;
华中科技大学,湖北,武汉,430074;
上海美高森美半导体有限公司,上海,201108;
半导体元器件; 工艺参数/瞬变电压抑制二极管;
机译:静电放电应力对具有突变结的双向TVS齐纳二极管电性能的影响
机译:光刻不均匀性对器件电性能的影响:材料和工艺对器件性能的简单随机建模
机译:工艺参数对低压电磁压实电陶瓷密度和电性能的影响
机译:揭开TVSS神秘面纱:仔细研究电涌抑制技术和相关性能参数
机译:表征机械应变对硅和III-V半导体器件电性能的影响所面临的挑战。
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机译:磁控溅射工艺参数对非晶碳薄膜电性能的影响
机译:分析工艺参数对色谱,电色谱或电泳测量性能的影响的方法及其用途
机译:TVS TVS制造低电容TVS的方法以及使用该方法的器件
机译:决定工艺参数,工艺参数或工艺参数两者以形成设计规则和系统的电路布局的工艺参数或设计规则以及半导体集成电路器件的方式和生产方式,以及
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