IGBT性能退化模型构建方法研究

摘要

绝缘栅双极晶体管(IGBT)经常工作在过热、过流、过压、高频等条件下,所以当其使用时间积累到一定程度时,极有可能发生性能退化,而IGBT性能退化所引发的设备故障往往会带来巨大的损失.对此,就IGBT的性能退化问题展开相关讨论和研究.首先从理论上分析了IGBT性能退化的原因和机理,然后结合PXI实验平台和相关驱动电路,对GT5J301型IGBT进行了性能退化加速实验,分析了反复短路脉冲应力冲击对其造成的影响,最后根据实验结果建立性能退化数学模型,对实验结果进行曲线拟合,得出性能退化的规律.