铝微弧氧化电流效率的测定

摘要

初步测定了Ｌ２钝铝和ＬＣ４铝合金微弧氧化陶瓷膜生长过程的电流效率。铝微弧氧化电流效率在１０％￣３０％之间变化。相同实验条件下，ＬＣ４铝合金电流效率比纯铝高。陶瓷膜达到一定厚度后，电流效率随氧化时间延长而不断降低。要生长出１μｍ厚的膜，纯铝和ＬＣ４铝合金的耗电量分别约为０．１３ｋＷｈ／ｄｍ＾２和０．１ｋＷｈ／ｄｍ＾２。