硅烷偶联剂对超细蒙脱土的表面改性

摘要

采用不同结构的硅烷偶联剂（KH550、KH560、KH570）分别对超细蒙脱土进行接枝改性,并利用热失重分析（TGA）、X射线衍射分析（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对其结构性质进行表征,研究结果表明:经KH560接枝的细化蒙脱土层间距最大,其次为经KH550接枝的细化蒙脱土,而经KH570接枝的细化蒙脱土层间距最小。比较而言,经KH560接枝的细化蒙脱土颗粒表面分散片层最多,其次为经KH550接枝的细化蒙脱土,而经KH570接枝的细化蒙脱土表面分散片层最少。