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MOCVD; 氧化镁; 薄膜; 晶体取向;
机译:MOCVD控制晶体取向的Nb掺杂SrTiO_3薄膜的制备及半导体性能
机译:热退火对MOCVD在MgO衬底上制备的γ-Al2O3薄膜光学和结构性能的影响
机译:RF磁控溅射法制备的MgO势垒层MTJ的MgO晶体取向与高能负离子的关系
机译:由MOCVD和RF溅射制备的SRTIO3(100)和MgO(100)上的多层薄膜(Xrxti1-x)O3 / Srruo3(x = 00.350.65)多层薄膜
机译:使用MOCVD制备的硫化锌:锰磷光体层的AC薄膜电致发光器件的制备和性能。
机译:MOCVD制备的具有单和双异质结的InGaN薄膜中的铟滴形成
机译:srTiO {sub 3}(100)上的外延pb(Zr {sub x} Ti {sub 1 {minus} x})O {sub 3} / srRuO {sub 3}(x = 0,0.35,0.65)多层薄膜通过mOCVD和RF溅射制备mgO(100)和mgO(100)
机译:srTiO(sub 3)(100)上的外延pb(Zr(sub x)Ti(sub 1(minus)x))O(sub 3)/ srRuO(sub 3)(x = 0,0.35,0.65)多层薄膜通过mOCVD和RF溅射制备mgO(100)和mgO(100)
机译:MGO纳米粒子包埋无色聚酰亚胺薄膜及其多级钝化薄膜的制备
机译:源极交替MOCVD工艺以沉积氮化钨薄膜作为MOCVD铜互连的阻挡层
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