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超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅱ)──尺寸缩小带来的巨大挑战

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随着CMOS技术缩至 10 0nm或更小 ,在CMOS器件结构、接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战 .

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来源
《物理》 |2002年第1期|11-16|共6页
作者
刘洪图; 吴自勤;
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作者单位

中国科学技术大学物理系;

中国科学技术大学天文和应用物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类大规模集成电路、超大规模集成电路;
关键词
超大规模集成电路; 接触电阻; 自对准硅化物; 工艺; 大直径硅晶片; CMOS; 器件结构; 材料物理; 尺寸缩小;

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