高密度数据存储新方法

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Hewlett Packard(HP)公司的科学家采用在一层薄的铟-硒(InSe)材料中产生微小的非晶区的方法来生成单个的比特．这层材料与下面的镓-硒层和一片硅基片形成一个pn结二极管的主要部分．读写循环过程如下：写“1”是用短的高功率电子柬脉冲熔化一微小部分InSe层，使之变成一个玻璃样的斑点．这个玻璃样的斑点可以用一长的低功率电子柬脉冲来重新结晶，

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来源
《物理》 |2005年第4期|239-239|共1页
作者
树华;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类存贮器;
关键词
数据存储; 高密度; pn结二极管; 循环过程; 电子柬; InS; 高功率; 硅基片; 非晶区; 科学家; 低功率; 脉冲; 材料; 斑点; 玻璃;

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