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超高密度信息存储/分子存储及其存储机理*

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摘要

在有机功能纳米薄膜上通过扫描隧道显微技术实现了超高密度的信息存储,存储点的大小在1.3nm左右,存储点间距为1.5nm,相应的存储密度为10bits/cm2.实验与理论计算的结果表明,其存储机理是薄膜的导电性质的变化.

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来源
《物理》 |2001年第8期|453-455|共3页
作者
高鸿钧; 时东霞; 张昊旭; 林晓;
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作者单位

中国科学院物理研究所凝聚态物理中心;

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中国科学院物理研究所凝聚态物理中心;

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正文语种 chi
中图分类工程材料学;
关键词
超高密度信息存储; 分子存储; 有机功能材料; 扫描探针显微术;

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