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利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度

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以白炽灯为光源照射单晶硅光电池,测量在硅光电池前加不同截止波长的滤色片时的短路电流.通过短路电流和截止波长的关系,经拟合得到单晶硅材料的长波限,再利用半导体材料的长波限与半导体的禁带宽度Eg的关系,即Eg=hc/λ,计算得出其禁带宽度.

著录项

来源
《物理实验》 |2008年第11期|6-8|共3页
作者
唐爽; 岑剡;
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作者单位

复旦大学,物理学系,上海,200433;

复旦大学,物理学系,上海,200433;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TM914.41;
关键词
硅光电池; 短路电流; 截止波长; 禁带宽度;

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