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王瑗; 潘葳; 李向亭;
上海交通大学物理系,上海,200240;
普朗克常量; 发光二极管; 伏安特性; 光谱特性;
机译:epr争论和减少普朗克常量的谜团
机译:光谱和基于发光二极管的系统表征用于太阳紫外线测量的外照射疗法3膜
机译:基于光谱和发光二极管的特征在于外梁治疗3薄膜太阳紫外线测量
机译:基于超大发光二极管光源的表面轮廓测量系统的开发
机译:基于Exciplex和基于激子的有机发光二极管和自由基掺杂器件的磁场效应
机译:基于双蓝色有机发光二极管基于双重的D-F过渡铈(III)复合物具有100%的Exciton利用效率
机译:一种基于双色发光二极管的临床分析用流量光度计一种便宜的基于双色发光二极管的临床分析用流量光度计
机译:基于溶液处理多层结构的稳定高效量子点发光二极管。
机译:发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管和用于制造该发光二极管的方法,用于生长基于氮化物的III-V族复合半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族复合半导体的替代物源电池单元,发光二极管背光源,发光二极管照明设备,发光二极管显示器,电气设备和电气设备及其制造方法
机译:发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物,半导体的材料源电池单元,发光二极管背光源,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法
机译:发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物,半导体的方法源电池单元,发光二极管背光灯,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法
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