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梁凤超; 胡君; 续志军;
中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;
中国科学院,研究生院,北京100039;
凹球面; 激光直写; 网栅; PMAC;
机译:通过选择性区域生长实现高阈值电压均匀性和低滞后凹栅Al2O3 / AlN / GaN MISFET
机译:SiCl_4 / SiF_4 / O_2干蚀刻栅凹入120 nm T栅GaAs pHEMT的表面质谱分析
机译:分析表面状态和碰撞电离对窄凹栅GaAs FET的击穿特性和栅滞现象的影响
机译:分析表面状态对凹栅和埋栅GaAs MESFET中栅滞现象的影响
机译:栅长短的栅凹氮化镓高电子迁移率晶体管。
机译:使用静电纺丝金属网透明电极直接和非接触式电控制纸和纺织品可折叠基材的温度
机译:栅极介电质量对在200mm Si衬底上开发无金的D型和E型凹栅AlGaN / GaN晶体管的影响
机译:基于以太网局域网的VaX / Vms软件协议的设计与实现
机译:用于单次生成的车床,用于使连续球面与连续凹球面凹入或凹入或凹入或凹入不同半径的连续凸状接触
机译:半导体存储单元具有多个鳍状半导体,并且栅电极设置在凹部中,该凹部位于鳍状半导体之间并且彼此相邻,并且另一个栅电极
机译:易失性存储单元不足以使用可见浮栅实现电控
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