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李龙志; 杨建义; 王明华; 江晓清;
浙江大学信息与电子工程系,浙江,杭州,310027;
集成光学; 全光开关; 光致折射率; 量子阱材料;
机译:GaAs-AlGaAs和应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs梯度折射率分离禁区异质结构单量子阱激光器的光学和微波性能
机译:基于HGCDTE光电二极管的红外范围的光检测特性的分析比较和GaAs / Algaas探测器的照片与量子阱
机译:室温下绝缘InGaAs / AlGaAs量子阱中光致霍尔效应光谱的观测
机译:GaAs-AlGaAs和应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs梯度折射率分离约束异质结构单量子阱激光器的光学和微波性能
机译:GaAs:AlGaAs超晶格在周期性量子阱混合中的三波混合:建模,优化和参数生成。
机译:通过圆偏振光激发的自旋光电流研究无掺杂InGaAs / AlGaAs多量子阱中的自旋输运
机译:磁致光致光电效应和自旋相移 (110)生长的Gaas / alGaas量子阱结构
机译:基于Gaas / alGaas的多量子阱高电子迁移率晶体管(HEmT)的分析和数值研究
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:包括AlGaAs光波导层的半导体激光器装置,该AlGaAs光波导层形成在内部条纹凹槽上方并具有受控的折射率
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