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赵一泽;
武警工程大学,西安710086;
SOA-XGM; 全光A(B)逻辑门; 全光加/解密技术;
机译:基于Rashba自旋轨道效应的双量子环中的自旋极化和自旋相关逻辑门:非平衡格林函数方法
机译:基于具有C-60和并五苯薄膜的双极场效应晶体管的逻辑门电路的制作
机译:具有三个SOA-XGM开关的双波长位输入光学RAM
机译:基于SOA-XGM和SOA-SGS的光学超宽带双态脉冲产生方法
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有两个平面内易轴的磁性膜中基于平面霍尔效应的非易失性逻辑门
机译:基于C 60 sub>和并五苯薄膜的双极场效应晶体管的逻辑门电路的制作
机译:基于叠加训练的双选择无线衰落信道带宽有效导频辅助传输
机译:基于动态载荷的绝缘栅场效应晶体管的逻辑门
机译:逻辑门用于制造数字电子工业中局部受约束的FET的一部分的NAND型逻辑门具有栅极,该栅极的一部分相对于区域定位,从而在电流通过沟道时具有场效应
机译:CMOS电路系统具有用于提供指定逻辑功能的输出信号的逻辑门电路,并且逻辑门电路具有多个场效应晶体管
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