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张吉英; 李炳生; 申德振; 吕有明; 姚彬; 赵东旭; 张振中; 李炳辉; 范希武;
中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 激发态物理重点实验室 吉林 长春 130033;
宽带Ⅱ-Ⅵ族磁性半导体; 磁隧穿结; 铁磁特性;
机译:宽带隙磁性半导体(La_(0.6)Pr_(0.4))_(0.65)Ca_(0.35)MnO_3纳米晶体的顺磁性和铁磁性相的电子结构研究
机译:伪一维铁磁性半导体EU_3SB_4SE_9的磁性特性
机译:Mn掺杂ZnO中增强的铁磁特性:一种有前途的稀释磁性半导体
机译:磁性各向异性切换在重金属掺杂的高居里温度铁磁性半导体(Ga_(0.7),Fe_(0.3))Sb,具有临界厚度
机译:稀磁性半导体(砷,镓,锰)中的铁磁和交换偏压研究。
机译:铁磁性金属玻璃制成的室温磁性半导体
机译:铁磁性半导体(Ga,Mn)As中自旋刚度对磷合金化的依赖性的系统研究
机译:磁性半导体:光学,传输和隧道特性及其相互依赖性的研究。
机译:基于铁磁性Ⅳ族的半导体,铁磁性Ⅲ-Ⅴ族的化合物半导体或铁磁性Ⅱ-Ⅵ族的化合物半导体及其铁磁特性的调节方法
机译:使用III-V族铁磁性/非磁性半导体异质结和磁二极管的方法
机译:II-IV族或III-V族化合物基单晶铁磁化合物及其铁磁特性的调节方法
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