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GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征

     

摘要

研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化.对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al2O3/GaAs薄膜,利用X射线小角反射和高角衍射技术进行了微结构表征.结果表明,氧化前GaAs/AlAs/GaAs结构中,AlAs层与表面GaAs之间存在着一层110的均匀过渡层.AlAs层分成厚度为40和1050的两层,而40厚的AlAs层的平均原子密度比1050厚的减小.利用横向氧化的方式使得AlAs完全氧化为Al2O3,而且与氧化前相比,其过渡层的厚度与粗糙度均减小.

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