横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究

冯淦; 郑新和; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾; 郑文莉; 贾全杰

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横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究

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采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al2O3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征.发现横向生长区的GaN(0001)晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差.ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半,这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时,还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸.

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来源
《核技术》|2002年第10期|770-774|共5页
作者
冯淦; 郑新和; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾; 郑文莉; 贾全杰;
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作者单位

中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家联合重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家联合重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家联合重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家联合重点实验室,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家联合重点实验室,北京,100083;

中国科学院高能物理研究所同步辐射室,北京,100039;

中国科学院高能物理研究所同步辐射室,北京,100039;

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正文语种 chi
中图分类周转法、回摆法及魏森伯法;结构分析;磁性半导体、磁阻半导体;
关键词
GaN; 横向外延生长; 晶面倾斜; 晶粒度; 同步辐射X光衍射;
入库时间 2023-07-25 14:47:22

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